Número de Producto del Fabricante:
PMXB65ENEZ
Product Overview
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Número de pieza:
PMXB65ENEZ-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 3.2A (Ta) 400mW (Ta), 8.33W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3
Inventario:
9950 Pcs Nuevos Originales En Stock
12829189
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ENVIAR
PMXB65ENEZ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Nexperia
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3.2A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
67mOhm @ 3.2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
295 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DFN1010D-3
Paquete / Caja
3-XDFN Exposed Pad
Número de producto base
PMXB65
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
1727-PMXB65ENEZDKR
PMXB65ENE
PMXB65ENEZ-DG
568-10949-2-DG
568-10949-6
568-10949-1-DG
1727-PMXB65ENEZTR
568-10949-6-DG
934067148147
2156-PMXB65ENEZ-1727
1727-1478-1
1727-1478-2
1727-1478-6-DG
568-10949-1
568-10949-2
1727-1478-6
PMXB65ENEZINACTIVE
5202-PMXB65ENEZTR
1727-1478-1-DG
1727-1478-2-DG
PMXB65ENEZINACTIVE-DG
1727-PMXB65ENEZCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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