Número de Producto del Fabricante:
PSMN057-200P,127
Product Overview
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Número de pieza:
PSMN057-200P,127-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 39A TO220AB
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 39A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventario:
12828001
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ENVIAR
PSMN057-200P,127 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Nexperia
Embalaje
Tube
Serie
TrenchMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
39A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
57mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3750 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
PSMN057
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
568-6641
568-6641-5-DG
PSMN057-200P
934056421127
1727-5271
PSMN057-200P,127-DG
5202-PSMN057-200P,127TR
568-6641-DG
PSMN057-200P-DG
568-6641-5
2156-PSMN057-200P,127-1727
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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