Número de Producto del Fabricante:
PSMN102-200Y,115
Product Overview
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Número de pieza:
PSMN102-200Y,115-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK56
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 21.5A (Tc) 113W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Inventario:
76310 Pcs Nuevos Originales En Stock
12830193
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ENVIAR
PSMN102-200Y,115 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Nexperia
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
21.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
102mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
30.7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1568 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
113W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
LFPAK56, Power-SO8
Paquete / Caja
SC-100, SOT-669
Número de producto base
PSMN102
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,500
Otros nombres
1727-5227-6
568-6544-2-DG
568-6544-1-DG
1727-5227-2
PSMN102-200Y T/R-DG
1727-5227-1
5202-PSMN102-200Y,115TR
PSMN102200Y115
568-6544-6-DG
PSMN102-200Y,115-DG
568-6544-6
PSMN102-200Y T/R
568-6544-2
568-6544-1
934061323115
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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