Número de Producto del Fabricante:
PSMN165-200K,518
Product Overview
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Número de pieza:
PSMN165-200K,518-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 2.9A 8SO
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 2.9A (Tc) 3.5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Inventario:
12832411
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ENVIAR
PSMN165-200K,518 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Nexperia
Embalaje
-
Serie
TrenchMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.9A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
165mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1330 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SO
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
934056597518
PSMN165-200K /T3
PSMN165-200K /T3-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
2 (1 Year)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
Certificación DIGI
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