Número de Producto del Fabricante:
PSMN1R2-25YLDX
Product Overview
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Número de pieza:
PSMN1R2-25YLDX-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Descripción Detallada:
N-Channel 25 V 100A (Tc) 172W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Inventario:
3755 Pcs Nuevos Originales En Stock
12831647
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
jvhH
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
PSMN1R2-25YLDX Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Nexperia
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
25 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.2mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.2V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
60.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4327 pF @ 12 V
Función FET
Schottky Diode (Body)
Disipación de potencia (máx.)
172W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
LFPAK56, Power-SO8
Paquete / Caja
SC-100, SOT-669
Número de producto base
PSMN1R2
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,500
Otros nombres
568-12928-1-DG
568-12928-2-DG
568-12928-6
1727-2496-6
5202-PSMN1R2-25YLDXTR
568-12928-6-DG
1727-2496-2
1727-2496-1
568-12928-1
568-12928-2
934069909115
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
PMV230ENEAR
MOSFET N-CH 60V 1.5A TO236AB
PHD71NQ03LT,118
MOSFET N-CH 30V 75A DPAK
PMV35EPER
MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB
