Número de Producto del Fabricante:
PSMN1R9-40PL,127
Product Overview
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Número de pieza:
PSMN1R9-40PL,127-DG
Descripción:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 150A (Ta) 349W (Ta) Through Hole TO-220AB
Inventario:
12947725
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ENVIAR
PSMN1R9-40PL,127 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Nexperia
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
150A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.7mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.1V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
230 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
13200 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
349W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
PSMN1R9
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
173
Otros nombres
NEXNEXPSMN1R9-40PL,127
2156-PSMN1R9-40PL,127-NEX
Clasificación Ambiental y de Exportación
HTSUS
0000.00.0000
Certificación DIGI
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