Número de Producto del Fabricante:
PSMN2R0-100SSFJ
Product Overview
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Número de pieza:
PSMN2R0-100SSFJ-DG
Descripción:
NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 267A (Ta) 341W (Ta) Surface Mount LFPAK88 (SOT1235)
Inventario:
1900 Pcs Nuevos Originales En Stock
12993035
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ENVIAR
PSMN2R0-100SSFJ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Nexperia
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
267A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
7V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.07mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
242 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
16140 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
341W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
LFPAK88 (SOT1235)
Paquete / Caja
SOT-1235
Número de producto base
PSMN2R0
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
5202-PSMN2R0-100SSFJTR
934661572118
1727-PSMN2R0-100SSFJDKR
1727-PSMN2R0-100SSFJTR
1727-PSMN2R0-100SSFJCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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