Número de Producto del Fabricante:
PSMN4R0-60YS,115
Product Overview
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Número de pieza:
PSMN4R0-60YS,115-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 74A LFPAK56
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 74A (Tc) 130W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Inventario:
7217 Pcs Nuevos Originales En Stock
12827395
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
PSMN4R0-60YS,115 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Nexperia
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
74A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3501 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
130W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
LFPAK56, Power-SO8
Paquete / Caja
SC-100, SOT-669
Número de producto base
PSMN4R0
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,500
Otros nombres
568-12855-1
5202-PSMN4R0-60YS,115TR
568-12855-2
568-12855-6-DG
568-12855-2-DG
568-12855-1-DG
934064465115
1727-2470-6
1727-2470-1
1727-2470-2
568-12855-6
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
BUK6D43-60EX
MOSFET N-CH 60V 5A DFN2020MD-6
PSMN2R4-30YLDX
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
PSMN021-100YLX
MOSFET N-CH 100V 49A LFPAK56
