Número de Producto del Fabricante:
PSMN4R2-80YSEX
Product Overview
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Número de pieza:
PSMN4R2-80YSEX-DG
Descripción:
PSMN4R2-80YSE/SOT1023/4 LEADS
Descripción Detallada:
N-Channel 80 V 170A (Ta) 294W (Ta) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Inventario:
1976 Pcs Nuevos Originales En Stock
12966914
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ENVIAR
PSMN4R2-80YSEX Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Nexperia
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
170A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.2mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.6V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
8000 pF @ 40 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
294W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
LFPAK56, Power-SO8
Paquete / Caja
SOT-1023, 4-LFPAK
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,500
Otros nombres
1727-PSMN4R2-80YSEDKR
1727-PSMN4R2-80YSEXCT
1727-PSMN4R2-80YSEXTR
1727-PSMN4R2-80YSETR-DG
1727-PSMN4R2-80YSECT-DG
1727-PSMN4R2-80YSEDKR-DG
934662576115
1727-PSMN4R2-80YSEXDKR
1727-PSMN4R2-80YSETR
5202-PSMN4R2-80YSEXTR
1727-PSMN4R2-80YSECT
PSMN4R2-80YSE
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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