Número de Producto del Fabricante:
PSMN4R3-80ES,127
Product Overview
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Número de pieza:
PSMN4R3-80ES,127-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 306W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventario:
12830670
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Cantidad
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PSMN4R3-80ES,127 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Nexperia
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
120A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.3mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
111 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
8161 pF @ 40 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
306W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
I2PAK
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
2156-PSMN4R3-80ES,127-1727
568-6708-5
1727-5280
568-6708-DG
934065164127
568-6708-5-DG
568-6708
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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