Número de Producto del Fabricante:
PSMN4R8-100BSEJ
Product Overview
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Número de pieza:
PSMN4R8-100BSEJ-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 120A (Tj) 405W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventario:
14469 Pcs Nuevos Originales En Stock
12829452
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PSMN4R8-100BSEJ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Nexperia
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
120A (Tj)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.8mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
278 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
14400 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
405W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
D2PAK
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
PSMN4R8
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Otros nombres
1727-1103-2
568-10258-2
568-10258-6-DG
PSMN4R8-100BSEJ-DG
1727-1103-1
568-10258-1
1727-1103-6
934067369118
568-10258-2-DG
568-10258-1-DG
5202-PSMN4R8-100BSEJTR
568-10258-6
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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