BUK752R3-40E,127

Número de Producto del Fabricante:

BUK752R3-40E,127

Product Overview

Fabricante:

NXP Semiconductors

Número de pieza:

BUK752R3-40E,127-DG

Descripción:

NEXPERIA BUK752R3-40E - 120A, 40

Descripción Detallada:

N-Channel 40 V 120A (Ta) 293W (Ta) Through Hole TO-220AB

Inventario:

1270 Pcs Nuevos Originales En Stock

12996919

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BUK752R3-40E,127 Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

NXP Semiconductors

Embalaje

Bulk

Serie

TrenchMOS™

Estado del producto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

40 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

120A (Ta)

rds activados (máx.) @ id, vgs

2.3mOhm @ 25A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

4V @ 1mA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

109.2 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

8500 pF @ 25 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

293W (Ta)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Grado

Automotive

Calificación

AEC-Q101

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete de dispositivos del proveedor

TO-220AB

Paquete / Caja

TO-220-3

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

BUK752R3-40E,127

Hoja de datos HTML

BUK752R3-40E,127-DG

Información Adicional

Paquete Estándar

333

Otros nombres

2156-BUK752R3-40E,127-954

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

Vendor Undefined

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

0000.00.0000

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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