Número de Producto del Fabricante:
BUK7575-55A,127
Product Overview
Fabricante:
NXP Semiconductors
Número de pieza:
BUK7575-55A,127-DG
Descripción:
NEXPERIA BUK7575 - N-CHANNEL MO
Descripción Detallada:
N-Channel 55 V 20.3A (Tc) 62W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventario:
8995 Pcs Nuevos Originales En Stock
12996542
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ENVIAR
BUK7575-55A,127 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalaje
Bulk
Serie
TrenchMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
55 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
20.3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
75mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
483 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
62W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
833
Otros nombres
2156-BUK7575-55A,127-954
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Vendor Undefined
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
Certificación DIGI
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