Número de Producto del Fabricante:
BUK761R4-30E,118
Product Overview
Fabricante:
NXP USA Inc.
Número de pieza:
BUK761R4-30E,118-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 120A (Tc) 324W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventario:
12822980
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ENVIAR
BUK761R4-30E,118 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalaje
-
Serie
TrenchMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
120A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.45mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9580 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
324W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
D2PAK
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
BUK76
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Otros nombres
568-10169-6
2156-BUK761R4-30E118
NEXNXPBUK761R4-30E,118
2156-BUK761R4-30E118-NXTR-DG
2156-BUK761R4-30E,118-DG
BUK761R4-30E,118-DG
BUK761R430E118
568-10169-1
568-10169-2
934066662118
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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