Número de Producto del Fabricante:
BUK765R2-40B,118
Product Overview
Fabricante:
NXP USA Inc.
Número de pieza:
BUK765R2-40B,118-DG
Descripción:
TRANSISTOR >30MHZ
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 75A (Tc) 203W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventario:
23190 Pcs Nuevos Originales En Stock
12946236
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
BUK765R2-40B,118 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalaje
Bulk
Serie
TrenchMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
75A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
5.2mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3789 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
203W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
D2PAK
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
379
Otros nombres
2156-BUK765R2-40B,118
NEXNXPBUK765R2-40B,118
Clasificación Ambiental y de Exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
FCP104N60
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
AUIRFP1405-203
AUIRFP1405 - 55V-60V N-CHANNEL A
2SK3815-DL-E
2SK3815 - N-CHANNEL, MOSFET
