Número de Producto del Fabricante:
BUK7E2R7-30B,127
Product Overview
Fabricante:
NXP USA Inc.
Número de pieza:
BUK7E2R7-30B,127-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 75A (Tc) 300W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventario:
13066308
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ENVIAR
BUK7E2R7-30B,127 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalaje
-
Serie
TrenchMOS™
Embalaje
Tube
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
75A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.7mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
91 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6212 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
I2PAK
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número de producto base
BUK7
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
BUK7E2R7-30B,127-ND
568-6629-5
2156-BUK7E2R7-30B127
568-6629-ND
BUK7E2R730B127
NEXNXPBUK7E2R7-30B,127
934058024127
BUK7E2R7-30B-ND
568-6629
BUK7E2R7-30B
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPI80N04S403AKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
498
NÚMERO DE PIEZA
IPI80N04S403AKSA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.99
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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