Número de Producto del Fabricante:
NX7002BKM315
Product Overview
Fabricante:
NXP USA Inc.
Número de pieza:
NX7002BKM315-DG
Descripción:
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 350mA (Ta) 350mW (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount DFN1006-3
Inventario:
12937594
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ENVIAR
NX7002BKM315 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
350mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.8Ohm @ 200mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
1 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
23.6 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
350mW (Ta), 3.1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DFN1006-3
Paquete / Caja
SC-101, SOT-883
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
15,000
Otros nombres
2156-NX7002BKM315
NEXNXPNX7002BKM315
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
Not applicable
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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