Número de Producto del Fabricante:
PDTA123JS,126
Product Overview
Fabricante:
NXP USA Inc.
Número de pieza:
PDTA123JS,126-DG
Descripción:
TRANS PREBIAS PNP 50V TO92-3
Descripción Detallada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 500 mW Through Hole TO-92-3
Inventario:
12880680
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PDTA123JS,126 Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Pre-biasados individuales
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo de transistor
PNP - Pre-Biased
Corriente - Colector (Ic) (Max)
100 mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
50 V
Resistencia - Base (R1)
2.2 kOhms
Resistencia - Base del emisor (R2)
47 kOhms
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
100 @ 10mA, 5V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
100mV @ 250µA, 5mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
1µA
Potencia - Máx.
500 mW
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Caja
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-92-3
Número de producto base
PDTA123
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
PDTA123JS AMO-DG
PDTA123JS AMO
934057560126
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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