Número de Producto del Fabricante:
PDTB113EQA147
Product Overview
Fabricante:
NXP USA Inc.
Número de pieza:
PDTB113EQA147-DG
Descripción:
TRANS PREBIAS
Descripción Detallada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 500 mA 150 MHz 940 mW Surface Mount DFN1010D-3
Inventario:
12947511
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ENVIAR
PDTB113EQA147 Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Pre-biasados individuales
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalaje
-
Serie
PDTB113EQA
Estado del producto
Active
Tipo de transistor
PNP - Pre-Biased
Corriente - Colector (Ic) (Max)
500 mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
50 V
Resistencia - Base (R1)
1 kOhms
Resistencia - Base del emisor (R2)
1 kOhms
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
33 @ 50mA, 5V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
100mV @ 2.5mA, 50mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
500nA
Frecuencia - Transición
150 MHz
Potencia - Máx.
940 mW
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
3-XDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivos del proveedor
DFN1010D-3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
8,219
Otros nombres
NEXNXPPDTB113EQA147
2156-PDTB113EQA147
Clasificación Ambiental y de Exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificación DIGI
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