PDTB113ES,126
Número de Producto del Fabricante:

PDTB113ES,126

Product Overview

Fabricante:

NXP USA Inc.

Número de pieza:

PDTB113ES,126-DG

Descripción:

TRANS PREBIAS PNP 50V TO92-3
Descripción Detallada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 500 mA 500 mW Through Hole TO-92-3

Inventario:

Solicitud de Cotización en Línea
13072214
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PDTB113ES,126 Especificaciones Técnicas

Categoría
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Pre-biasados individuales
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalaje
-
Fabricante
NXP USA Inc.
Serie
-
Embalaje
Tape & Box (TB)
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo de transistor
PNP - Pre-Biased
Corriente - Colector (Ic) (Max)
500 mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
50 V
Resistencia - Base (R1)
1 kOhms
Resistencia - Base del emisor (R2)
1 kOhms
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
33 @ 50mA, 5V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
300mV @ 2.5mA, 50mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
500nA
Potencia - Máx.
500 mW
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Caja
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-92-3
Número de producto base
PDTB113

Información Adicional

Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
PDTB113ES AMO
PDTB113ES AMO-ND
934059144126

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
DTB113ECT116
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
2396
NÚMERO DE PIEZA
DTB113ECT116-DG
PRECIO UNITARIO
0.03
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
DTB113EKT146
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
1686
NÚMERO DE PIEZA
DTB113EKT146-DG
PRECIO UNITARIO
0.08
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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