Número de Producto del Fabricante:
PDTC115EMB,315
Product Overview
Fabricante:
NXP Semiconductors
Número de pieza:
PDTC115EMB,315-DG
Descripción:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.02A 3DFN
Descripción Detallada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 20 mA 230 MHz 250 mW Surface Mount DFN1006B-3
Inventario:
189658 Pcs Nuevos Originales En Stock
12947437
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ENVIAR
PDTC115EMB,315 Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Pre-biasados individuales
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo de transistor
NPN - Pre-Biased
Corriente - Colector (Ic) (Max)
20 mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
50 V
Resistencia - Base (R1)
100 kOhms
Resistencia - Base del emisor (R2)
100 kOhms
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 5mA, 5V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
150mV @ 250µA, 5mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
1µA
Frecuencia - Transición
230 MHz
Potencia - Máx.
250 mW
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
SC-101, SOT-883
Paquete de dispositivos del proveedor
DFN1006B-3
Número de producto base
PDTC115
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
11,225
Otros nombres
NEXNEXPDTC115EMB,315
2156-PDTC115EMB,315-NEX
Clasificación Ambiental y de Exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificación DIGI
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