Número de Producto del Fabricante:
PH3120L,115
Product Overview
Fabricante:
NXP Semiconductors
Número de pieza:
PH3120L,115-DG
Descripción:
NEXPERIA PH3120L - 100A, 20V, 0.
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 100A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Inventario:
17889 Pcs Nuevos Originales En Stock
12968120
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ENVIAR
PH3120L,115 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalaje
Bulk
Serie
TrenchMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.65mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
48.5 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4457 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
62.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
LFPAK56, Power-SO8
Paquete / Caja
SC-100, SOT-669
Información Adicional
Paquete Estándar
1,110
Otros nombres
2156-PH3120L,115-954
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Vendor Undefined
Estado de REACH
REACH Unaffected
Certificación DIGI
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