Número de Producto del Fabricante:
PHE13003A126
Product Overview
Fabricante:
NXP USA Inc.
Número de pieza:
PHE13003A126-DG
Descripción:
NOW WEEN - PHE13003A - POWER BIP
Descripción Detallada:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 1 A 2.1 W Through Hole TO-92-3
Inventario:
12947564
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ENVIAR
PHE13003A126 Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Transistores bipolares simples
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo de transistor
NPN
Corriente - Colector (Ic) (Max)
1 A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
400 V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
1.5V @ 250mA, 750mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
1mA
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
10 @ 400mA, 5V
Potencia - Máx.
2.1 W
Frecuencia - Transición
-
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Caja
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-92-3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
4,609
Otros nombres
WENNXPPHE13003A126
2156-PHE13003A126
Clasificación Ambiental y de Exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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