Número de Producto del Fabricante:
PMDPB95XNE,115
Product Overview
Fabricante:
NXP USA Inc.
Número de pieza:
PMDPB95XNE,115-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 2.4A 6HUSON
Descripción Detallada:
Mosfet Array 30V 2.4A 475mW Surface Mount 6-HUSON (2x2)
Inventario:
12811575
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ENVIAR
PMDPB95XNE,115 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.4A
rds activados (máx.) @ id, vgs
120mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
2.5nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
143pF @ 15V
Potencia - Máx.
475mW
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
6-UDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivos del proveedor
6-HUSON (2x2)
Número de producto base
PMDPB95
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
2156-PMDPB95XNE115-NXTR
934067055115
568-10764-6
NEXNXPPMDPB95XNE,115
568-10764-1
568-10764-2
PMDPB95XNE,115-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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