Número de Producto del Fabricante:
PMDXB1200UPE147
Product Overview
Fabricante:
NXP USA Inc.
Número de pieza:
PMDXB1200UPE147-DG
Descripción:
NOW NEXPERIA PMDXB1200UPE SMALL
Descripción Detallada:
Mosfet Array 30V 410mA (Ta) 285mW (Ta), 4.03W (Tc) Surface Mount DFN1010B-6
Inventario:
12947180
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ENVIAR
PMDXB1200UPE147 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 P-Channel
Función FET
Standard
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
410mA (Ta)
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
0.95V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
1.2nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
43.2pF @ 15V
Potencia - Máx.
285mW (Ta), 4.03W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
6-XFDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivos del proveedor
DFN1010B-6
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,852
Otros nombres
NEXNXPPMDXB1200UPE147
2156-PMDXB1200UPE147
Clasificación Ambiental y de Exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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