Número de Producto del Fabricante:
PMPB29XNE,115
Product Overview
Fabricante:
NXP USA Inc.
Número de pieza:
PMPB29XNE,115-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 5A DFN2020MD-6
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 5A (Ta) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount DFN1010B-6
Inventario:
19000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12947298
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ENVIAR
PMPB29XNE,115 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
33mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
900mV @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
18.6 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1150 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DFN1010B-6
Paquete / Caja
6-XFDFN Exposed Pad
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,184
Otros nombres
2156-PMPB29XNE,115
NEXNXPPMPB29XNE,115
Clasificación Ambiental y de Exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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