PMZB550UNE315

Número de Producto del Fabricante:

PMZB550UNE315

Product Overview

Fabricante:

NXP USA Inc.

Número de pieza:

PMZB550UNE315-DG

Descripción:

NOW NEXPERIA PMZB550UNE SMALL SI

Descripción Detallada:

N-Channel 30 V 590mA (Ta) 310mW (Ta), 1.67W (Tc) Surface Mount DFN1006B-3

Inventario:

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12947611

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PMZB550UNE315 Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

NXP Semiconductors

Embalaje

-

Serie

-

Estado del producto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

30 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

590mA (Ta)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

1.5V, 4.5V

rds activados (máx.) @ id, vgs

670mOhm @ 590mA, 4.5V

vgs(th) (máx.) @ id

0.95V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

1.1 nC @ 4.5 V

Vgs (máx.)

±8V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

30.3 pF @ 15 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

310mW (Ta), 1.67W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

DFN1006B-3

Paquete / Caja

SC-101, SOT-883

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

PMZB550UNE315-DG

Información Adicional

Paquete Estándar

6,177

Otros nombres

2156-PMZB550UNE315

NEXNXPPMZB550UNE315

Clasificación Ambiental y de Exportación

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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