Número de Producto del Fabricante:
PSMN3R3-80ES,127
Product Overview
Fabricante:
NXP USA Inc.
Número de pieza:
PSMN3R3-80ES,127-DG
Descripción:
ELEMENT, NCHANNEL, SILICON, MOSF
Descripción Detallada:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 338W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventario:
1415 Pcs Nuevos Originales En Stock
12942544
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ENVIAR
PSMN3R3-80ES,127 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
120A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.3mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
139 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9961 pF @ 40 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
338W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
I2PAK
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
205
Otros nombres
2156-PSMN3R3-80ES127
NEXNXPPSMN3R3-80ES,127
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
Certificación DIGI
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