Número de Producto del Fabricante:
PSMN4R3-80PS,127
Product Overview
Fabricante:
NXP Semiconductors
Número de pieza:
PSMN4R3-80PS,127-DG
Descripción:
NEXPERIA PSMN4R3-80PS - 120A, 80
Descripción Detallada:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 306W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventario:
4206 Pcs Nuevos Originales En Stock
12996734
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ENVIAR
PSMN4R3-80PS,127 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
120A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.3mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
111 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
8161 pF @ 40 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
306W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
173
Otros nombres
2156-PSMN4R3-80PS,127-954
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
Certificación DIGI
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