Número de Producto del Fabricante:
2SJ635-TL-E
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
2SJ635-TL-E-DG
Descripción:
2SJ635 - P-CHANNEL SILICON MOSFE
Descripción Detallada:
P-Channel 60 V 12A (Ta) 1W (Ta), 30W (Tc) Through Hole TP
Inventario:
2780 Pcs Nuevos Originales En Stock
12977134
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ENVIAR
2SJ635-TL-E Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
12A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
60mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.6V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2200 pF @ 20 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1W (Ta), 30W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TP
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
761
Otros nombres
2156-2SJ635-TL-E
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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