Número de Producto del Fabricante:
2SK4125-1E
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
2SK4125-1E-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 17A TO3P-3L
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 17A (Ta) 2.5W (Ta), 170W (Tc) Through Hole TO-3P-3L
Inventario:
12833268
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ENVIAR
2SK4125-1E Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
17A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
610mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
-
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1200 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta), 170W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-3P-3L
Paquete / Caja
TO-3P-3, SC-65-3
Número de producto base
2SK4125
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
ONSONS2SK4125-1E
2156-2SK4125-1E
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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