Número de Producto del Fabricante:
2SK4177-DL-1E
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
2SK4177-DL-1E-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 1500V 2A TO263-2
Descripción Detallada:
N-Channel 1500 V 2A (Ta) 80W (Tc) Surface Mount TO-263-2
Inventario:
12836429
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ENVIAR
2SK4177-DL-1E Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
13Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
-
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
37.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
380 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
80W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263-2
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
2SK4177
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Otros nombres
2SK4177-DL-1E-DG
2SK4177-DL-1EOSTR
ONSONS2SK4177-DL-1E
2156-2SK4177-DL-1E
2SK4177-DL-1EOSDKR
2SK4177-DL-1EOSCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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