BFL4001-1E
Número de Producto del Fabricante:

BFL4001-1E

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

BFL4001-1E-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 900V 4.1A TO220-3 FP
Descripción Detallada:
N-Channel 900 V 4.1A (Tc) 2W (Ta), 37W (Tc) Through Hole TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG

Inventario:

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BFL4001-1E Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
900 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.1A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.7Ohm @ 3.25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
-
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
850 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2W (Ta), 37W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
BFL40

Información Adicional

Paquete Estándar
50
Otros nombres
2156-BFL4001-1E

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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