Número de Producto del Fabricante:
FCA36N60NF
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FCA36N60NF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 34.9A TO3PN
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 34.9A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventario:
12850149
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ENVIAR
FCA36N60NF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
FRFET®, SupreMOS®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
34.9A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
95mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
112 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4245 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
312W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-3PN
Paquete / Caja
TO-3P-3, SC-65-3
Número de producto base
FCA36N60
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
450
Otros nombres
488-FCA36N60NF
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
TK31J60W,S1VQ
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
25
NÚMERO DE PIEZA
TK31J60W,S1VQ-DG
PRECIO UNITARIO
4.32
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
TK31J60W5,S1VQ
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
25
NÚMERO DE PIEZA
TK31J60W5,S1VQ-DG
PRECIO UNITARIO
4.54
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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