Número de Producto del Fabricante:
FCD260N65S3
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FCD260N65S3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 12A TO252
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventario:
12838965
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ENVIAR
FCD260N65S3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
SuperFET® III
Estado del producto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
12A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
260mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 1.2mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1010 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
90W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252AA
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
FCD260
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
488-FCD260N65S3CT
488-FCD260N65S3DKR
FCD260N65S3-DG
488-FCD260N65S3TR
2156-FCD260N65S3-488
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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