FCD4N60TM
Número de Producto del Fabricante:

FCD4N60TM

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

FCD4N60TM-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 3.9A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventario:

10613 Pcs Nuevos Originales En Stock
12850381
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

FCD4N60TM Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
SuperFET™
Estado del producto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3.9A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.2Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
16.6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
540 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252AA
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
FCD4N60

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
FCD4N60TMTR
FCD4N60TMCT
FCD4N60TMDKR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
TK6P65W,RQ
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
58
NÚMERO DE PIEZA
TK6P65W,RQ-DG
PRECIO UNITARIO
0.47
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
STD7N60M2
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
14171
NÚMERO DE PIEZA
STD7N60M2-DG
PRECIO UNITARIO
0.50
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
STD6N60M2
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
STD6N60M2-DG
PRECIO UNITARIO
0.50
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
IPD80R1K0CEATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
2125
NÚMERO DE PIEZA
IPD80R1K0CEATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.58
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
Productos relacionados
onsemi

FQPF13N10

MOSFET N-CH 100V 8.7A TO220F

infineon-technologies

IPP80N06S4L05AKSA1

MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3

onsemi

FQPF20N06

MOSFET N-CH 60V 15A TO220F

alpha-and-omega-semiconductor

AO4411L

MOSFET P-CH 30V 8A 8SO