Número de Producto del Fabricante:
FCI25N60N-F102
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FCI25N60N-F102-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 216W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventario:
12839001
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ENVIAR
FCI25N60N-F102 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
SupreMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
25A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
125mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3352 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
216W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-262 (I2PAK)
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número de producto base
FCI25N60
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
FCI25N60N_F102-DG
FCI25N60N_F102
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPI60R099CPXKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
500
NÚMERO DE PIEZA
IPI60R099CPXKSA1-DG
PRECIO UNITARIO
3.99
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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