Número de Producto del Fabricante:
FCP260N65S3
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FCP260N65S3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
12850973
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ENVIAR
FCP260N65S3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tube
Serie
SuperFET® III
Estado del producto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
12A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
260mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 1.2mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1010 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
90W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
FCP260
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
TK14E65W,S1X
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
50
NÚMERO DE PIEZA
TK14E65W,S1X-DG
PRECIO UNITARIO
1.25
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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FABRICANTE
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CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
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PRECIO UNITARIO
1.13
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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CANTIDAD DISPONIBLE
896
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PRECIO UNITARIO
1.26
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CANTIDAD DISPONIBLE
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PRECIO UNITARIO
1.08
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FABRICANTE
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CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
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PRECIO UNITARIO
6.40
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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