Número de Producto del Fabricante:
FDA16N50-F109
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDA16N50-F109-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 16.5A TO3PN
Descripción Detallada:
N-Channel 500 V 16.5A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventario:
283 Pcs Nuevos Originales En Stock
12845674
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ENVIAR
FDA16N50-F109 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tube
Serie
UniFET™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
16.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
380mOhm @ 8.3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1945 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
205W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-3PN
Paquete / Caja
TO-3P-3, SC-65-3
Número de producto base
FDA16N50
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
FDA16N50-F109OS
FDA16N50_F109-DG
FDA16N50-F109-DG
FDA16N50_F109
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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