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Preguntas frecuentes
Número de Producto del Fabricante:
FDA20N50-F109
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDA20N50-F109-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 22A TO3PN
Descripción Detallada:
N-Channel 500 V 22A (Tc) 280W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventario:
Solicitud de Cotización en Línea
12846489
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ENVIAR
FDA20N50-F109 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
UniFET™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
22A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
230mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
59.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3120 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
280W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-3PN
Paquete / Caja
TO-3P-3, SC-65-3
Número de producto base
FDA20N50
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
FDA20N50-F109
Hoja de datos HTML
FDA20N50-F109-DG
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
FDA20N50_F109
FDA20N50_F109-DG
ONSONSFDA20N50-F109
FDA20N50
2156-FDA20N50-F109-OS
FDA20N50-DG
2832-FDA20N50-F109
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IXTQ26N50P
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IXTQ26N50P-DG
PRECIO UNITARIO
3.47
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
IXTQ22N50P
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
302
NÚMERO DE PIEZA
IXTQ22N50P-DG
PRECIO UNITARIO
2.74
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
IXTQ460P2
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
73
NÚMERO DE PIEZA
IXTQ460P2-DG
PRECIO UNITARIO
2.96
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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