Número de Producto del Fabricante:
FDD5N50UTM-WS
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDD5N50UTM-WS-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 500 V 3A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventario:
12847541
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ENVIAR
FDD5N50UTM-WS Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
FRFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
650 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
40W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252AA
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
FDD5N50
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
FDD5N50UTM_WSDKR-DG
2832-FDD5N50UTM-WSTR
FDD5N50UTM_WS-DG
FDD5N50UTM_WSTR
2832-FDD5N50UTM-WS-488
FDD5N50UTM-WSCT
FDD5N50UTM_WS
FDD5N50UTM_WSCT
FDD5N50UTM_WSTR-DG
FDD5N50UTM_WSCT-DG
FDD5N50UTM-WSTR
FDD5N50UTM-WSDKR
FDD5N50UTM_WSDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRFR430APBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
2743
NÚMERO DE PIEZA
IRFR430APBF-DG
PRECIO UNITARIO
0.70
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
IRFR430ATRLPBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IRFR430ATRLPBF-DG
PRECIO UNITARIO
0.71
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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