Número de Producto del Fabricante:
FDD86081-F085
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDD86081-F085-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 21A TO252-3
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 6.7A (Ta), 21.4A (Tc) 3W (Ta), 31.3W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventario:
12958631
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
FDD86081-F085 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6.7A (Ta), 21.4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
31.5mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 36µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
6.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
493 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3W (Ta), 31.3W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252 (DPAK)
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
488-FDD86081-F085CT
488-FDD86081-F085TR
488-FDD86081-F085DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IXTH220N20X4
MOSFET N-CH 200V 220A X4 TO-247
IRFR310TRPBF
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
MCPF12N65-BP
MOSFET N-CH
