Número de Producto del Fabricante:
FDFMA3N109
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDFMA3N109-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 2.9A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Inventario:
12848317
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ENVIAR
FDFMA3N109 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.9A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
123mOhm @ 2.9A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
3 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
220 pF @ 15 V
Función FET
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (máx.)
1.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
6-MicroFET (2x2)
Paquete / Caja
6-VDFN Exposed Pad
Número de producto base
FDFMA3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
FDFMA3N109FSCT
FDFMA3N109DKR-DG
FDFMA3N109TR-DG
2832-FDFMA3N109TR
FDFMA3N109CT-DG
FDFMA3N109DKR
FDFMA3N109FSDKR
FDFMA3N109TR
FDFMA3N109CT
FDFMA3N109FSTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
NTLJF4156NT1G
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
28406
NÚMERO DE PIEZA
NTLJF4156NT1G-DG
PRECIO UNITARIO
0.18
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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