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Preguntas frecuentes
Número de Producto del Fabricante:
FDFME2P823ZT
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDFME2P823ZT-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 2.6A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (1.6x1.6)
Inventario:
Solicitud de Cotización en Línea
12850955
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ENVIAR
FDFME2P823ZT Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.6A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
142mOhm @ 2.3A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
7.7 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
405 pF @ 10 V
Función FET
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (máx.)
1.4W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
6-MicroFET (1.6x1.6)
Paquete / Caja
6-UFDFN Exposed Pad
Número de producto base
FDFME2
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
FDFME2P823ZT
Hoja de datos HTML
FDFME2P823ZT-DG
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
FDFME2P823ZTDKR
FDFME2P823ZTCT
FDFME2P823ZT-DG
FDFME2P823ZTTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
DMP2035UFCL-7
FABRICANTE
Diodes Incorporated
CANTIDAD DISPONIBLE
12527
NÚMERO DE PIEZA
DMP2035UFCL-7-DG
PRECIO UNITARIO
0.19
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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