Número de Producto del Fabricante:
FDFME3N311ZT
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDFME3N311ZT-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 1.8A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (1.6x1.6)
Inventario:
12850488
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ENVIAR
FDFME3N311ZT Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.8A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
299mOhm @ 1.6A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
1.4 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
75 pF @ 15 V
Función FET
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (máx.)
1.4W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
6-MicroFET (1.6x1.6)
Paquete / Caja
6-UFDFN Exposed Pad
Número de producto base
FDFME3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
FDFME3N311ZT-DG
FDFME3N311ZTTR
FDFME3N311ZTCT
FDFME3N311ZTDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SSM6H19NU,LF
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
54777
NÚMERO DE PIEZA
SSM6H19NU,LF-DG
PRECIO UNITARIO
0.07
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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