FDMC035N10X1
Número de Producto del Fabricante:

FDMC035N10X1

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

FDMC035N10X1-DG

Descripción:

N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 100
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 5.5A (Ta) 2.3W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33

Inventario:

13001583
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

FDMC035N10X1 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
37mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2675 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.3W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Paquete / Caja
8-PowerWDFN

Información Adicional

Paquete Estándar
1
Otros nombres
488-FDMC035N10X1

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
anbon-semiconductor

AS2302

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

infineon-technologies

IQE013N04LM6CGSCATMA1

OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET

microchip-technology

JANSR2N7591U3

RH MOSFET _ U3

infineon-technologies

IPB95R450PFD7ATMA1

MOSFET N-CH 950V 13.3A TO263-3