FDN5630-G
Número de Producto del Fabricante:

FDN5630-G

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

FDN5630-G-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 1.7A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Inventario:

12972180
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FDN5630-G Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.7A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
100mOhm @ 1.7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
560 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-23-3
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
488-FDN5630-GTR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
OBSOLETE

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
FDN5630
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
5620
NÚMERO DE PIEZA
FDN5630-DG
PRECIO UNITARIO
0.09
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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