Número de Producto del Fabricante:
FDP039N08B-F102
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDP039N08B-F102-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 214W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
422 Pcs Nuevos Originales En Stock
12838177
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
FDP039N08B-F102 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tube
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
120A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.9mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
133 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9450 pF @ 40 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
214W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
FDP039
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Otros nombres
FDP039N08B_F102
FDP039N08B_F102-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
TK65E10N1,S1X
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
1055
NÚMERO DE PIEZA
TK65E10N1,S1X-DG
PRECIO UNITARIO
1.16
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
Productos relacionados
ECH8419-TL-H
MOSFET N-CH 35V 9A 8ECH
HUFA76439S3S
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
FDN86246
MOSFET N-CH 150V 1.6A SUPERSOT3
