FDT1600N10ALZ
Número de Producto del Fabricante:

FDT1600N10ALZ

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

FDT1600N10ALZ-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 100V 5.6A SOT223-4
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 5.6A (Tc) 10.42W (Tc) Surface Mount SOT-223-4

Inventario:

6830 Pcs Nuevos Originales En Stock
12847218
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

FDT1600N10ALZ Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5.6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
160mOhm @ 2.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.8V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
3.77 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
225 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
10.42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-223-4
Paquete / Caja
TO-261-4, TO-261AA
Número de producto base
FDT1600

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
FDT1600N10ALZCT
FDT1600N10ALZTR
FDT1600N10ALZDKR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
onsemi

FQD13N10TM

MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

onsemi

FDB9506L-F085

MOSFET N-CH 30V

onsemi

FDS6690A_NBBM015A

MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC

onsemi

FDD2512

MOSFET N-CH 150V 6.7A TO252