FQA10N80_F109

Número de Producto del Fabricante:

FQA10N80_F109

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

FQA10N80_F109-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 800V 9.8A TO3P

Descripción Detallada:

N-Channel 800 V 9.8A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-3P

Inventario:

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12836357

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FQA10N80_F109 Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

onsemi

Embalaje

-

Serie

QFET®

Estado del producto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

800 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

9.8A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

1.05Ohm @ 4.9A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

5V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

71 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

2700 pF @ 25 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

240W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete de dispositivos del proveedor

TO-3P

Paquete / Caja

TO-3P-3, SC-65-3

Número de producto base

FQA1

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

FQA10N80_F109-DG

Información Adicional

Paquete Estándar

450

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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